一种提高了BVcbo的双极型晶体管及其生产工艺

摘要

本发明公开了一种提高了BVcbo（集电极-基极击穿电压）的双极型晶体管及其生产工艺，通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，并且将沟槽的场氧化过程分成两步，结终端硼离子注入安排在两步场氧化之间进行，不但可以得到合理的结终端硼的结深，而且简化了工艺流程，并且由于结终端离子注入窗口与沟槽边缘无需对准，因此在结终端与沟槽的交界处可以得到较为固定的掺杂硼浓度，以致可以得到稳定的BVcbo，使用该工艺技术方法生产的NPN硅双极型微波功率晶体管器件不但提高了BVcbo 20伏以上，能够提供高的输出功率，而且减小了集电结寄生电容，保证了器件的高频性能。

主权项

一种提高了BVcbo的双极型晶体管，其特征在于：包括高浓度掺杂的N‑型硅衬底（50），所述N‑型硅衬底（50）的顶部设置有N‑型外延硅（52），所述N‑型外延硅（52）的两侧通过沟槽、氧化和平坦化工艺技术形成有平坦氧化层（62），两个所述平坦氧化层（62）之间的N‑型外延硅（52）的上表面设有本征基区（66），所述本征基区（66）的两侧设有非本征基区（68），两个所述非本征基区（68）之间还设置有发射区（70）；所述平坦氧化层（62）与非本征基区（68）之间均设有冶金结（64）。