| 发明名称 | 一种控制氧化硅沟槽底部平坦化的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种控制氧化硅沟槽底部平坦化的刻蚀方法，该方法至少包括：提供一位于反应腔室中且覆盖有光阻图形的氧化硅结构；接着将所述反应腔室中通入第一氟碳化合物气体，刻蚀所述氧化硅结构形成第一沟槽；接着停止第一氟碳化合物气体的供给并将所述反应腔室中通入第二氟碳化合物气体，刻蚀所述氧化硅结构，形成与所述第一沟槽贯通的第二沟槽；控制所述第二沟槽与所述第一沟槽深度的比例使得所述第二沟槽的底部平坦化。本发明通过控制C<sub>2</sub>F<sub>6</sub>和C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>对二氧化硅沟槽刻蚀深度的比例使得二氧化硅沟槽底部呈平坦化。同时取代氮化硅作为阻挡层而节省了生产的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105845563A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201510018733.2 | 申请日期 | 2015.01.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王智东;傅俊 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种控制氧化硅沟槽底部平坦化的刻蚀方法，其特征在于，该方法至少包括：(1)提供一位于反应腔室中且覆盖有光阻图形的氧化硅结构；(2)将所述反应腔室中通入第一氟碳化合物气体，刻蚀所述氧化硅结构形成第一沟槽；(3)停止第一氟碳化合物气体的供给并将所述反应腔室中通入第二氟碳化合物气体，刻蚀所述氧化硅结构，形成与所述第一沟槽贯通的第二沟槽；控制所述第二沟槽与所述第一沟槽深度的比例使得所述第二沟槽的底部平坦化。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||