低噪声放大器

摘要

本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器采用共源共栅结构，包括一个跟随电容，所述跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。本发明通过在共源结构MOS管的栅极和参考地之间设置一个跟随电容，并折中优化其电容值来提高线性度。本发明的电路结构简单，功耗降低，能够有效提高输入三阶交调点IIP3，提高低噪声放大器的增益，而对接收系统中后级的噪声系数不产生影响，进而改善了线性度，能够从整体上优化低噪声放大器的性能。

主权项

一种低噪声放大器，采用共源共栅结构，其特征在于，所述低噪声放大器包括：共源结构MOS管、共栅结构MOS管、隔直电容、接地电容、输出电容、跟随电容、第一电感、第二电感、第一电阻、第二电阻以及一个跟随电容；所述共源结构MOS管的栅极同时与所述隔直电容、第一电阻以及跟随电容的一端相连接，所述隔直电容的另一端连接信号输入端口，所述第一电阻的另一端连接于第一偏置电压输入端口，所述跟随电容的另一端与所述第一电感的一端相连接，然后二者共同接地，所述第一电感的另一端连接于所述共源结构MOS管的源极；所述共源结构MOS管的漏极和所述共栅结构MOS管的源极相连接；所述共栅结构MOS管的栅极同时与所述第二电阻和所述接地电容的一端相连接，所述第二电阻的另一端与第二偏置电压输入端口连接，所述接地电容的另一端接地；所述共栅结构MOS管的漏极通过所述输出电容连接于信号的输出端，同时通过所述第二电感连接于外部电源；所述跟随电容的两端分别连接共源结构MOS管的栅极和地。