一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个鳍片，以及位于每个所述鳍片顶面上的应力层；沉积形成接触孔蚀刻停止层，以覆盖所述半导体衬底的表面、所述鳍片的侧壁以及所述应力层的顶面和侧壁；形成第一层间介电层，以填充相邻鳍片之间的间隙，在所述第一层间介电层中形成有填充空洞；回蚀刻所述第一层间介电层停止于所述填充空洞的上方；在剩余的所述第一层间介电层暴露的表面上形成阻挡衬垫层；在所述阻挡衬垫层上形成第二层间介电层。根据本发明的制造方法，避免了应力层对于器件的污染，提高了介电层的强度和致密性，同时增大了工艺窗口，进而提高了器件的良率和性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个鳍片，以及位于每个所述鳍片顶面上的应力层，在所述应力层的上方与所述鳍片延伸方向相垂直的方向上形成有若干条状栅极结构；沉积形成接触孔蚀刻停止层，以覆盖所述半导体衬底的表面、所述鳍片的侧壁以及所述应力层的顶面和侧壁；形成第一层间介电层，以填充相邻鳍片之间的间隙，其中，所述第一层间介电层的顶面高于所述应力层的顶面，在所述第一层间介电层中形成有填充空洞；回蚀刻所述第一层间介电层停止于所述填充空洞的上方；在剩余的所述第一层间介电层暴露的表面上形成阻挡衬垫层；在所述阻挡衬垫层和接触孔蚀刻停止层上形成第二层间介电层。