| 发明名称 | 全包围栅场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种全包围栅场效应晶体管的制造方法，包括：提供SOI衬底，顶层硅中形成有鳍；在鳍上形成伪栅器件，并覆盖伪栅极两侧形成层间介质层；去除伪栅极，以形成开口；去除开口下部分厚度的埋氧层，以释放开口中的鳍；在开口中形成包围鳍的栅极。该方法与现有的器件集成工艺相兼容，无需额外的支撑部件，易于提高集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN105845726A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201510018931.9 | 申请日期 | 2015.01.14 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 徐唯佳;马小龙;殷华湘;许淼;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;吴兰柱 |
| 主权项 | 一种全包围栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供叠层衬底，叠层衬底包括绝缘层和其上的半导体层，半导体层中形成有鳍；在鳍上形成伪栅器件，并覆盖伪栅极两侧形成层间介质层；去除伪栅极，以形成开口；去除开口下部分厚度的绝缘层，以释放开口中的鳍；在开口中形成包围鳍的栅极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||