鳍式场效应晶体管的制作方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底；沉积氧化层和硬掩膜层；选择性刻蚀所述硬掩膜层和氧化层，露出半导体衬底；形成半导体单晶材料层，所述半导体单晶材料层高过所述硬掩膜层；在所述半导体单晶材料层上进行化学机械研磨至露出所述硬掩膜层；除去所述硬掩膜层，保留所述半导体单晶材料层。本发明的方法能够方便的在体硅衬底上形成统一高度的鳍，与现有的半导体硅工艺制程完全融合，且其形成的鳍不受现有刻蚀工艺的局限。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；沉积氧化层和硬掩膜层；选择性刻蚀所述硬掩膜层和氧化层，露出半导体衬底；形成半导体单晶材料层，所述半导体单晶材料层高过所述硬掩膜层，所述形成半导体单晶材料层的方法为外延生长Si_xGe_(1‑x)，其中，80％>x>0，外延生长的Si_xGe_(1‑x)层的x值从所述半导体衬底开始往上逐步降低；在所述半导体单晶材料层上进行化学机械研磨至露出所述硬掩膜层；除去所述硬掩膜层，保留所述半导体单晶材料层；在进行外延生长之前还包括在H₂氛围中进行烘烤的步骤，烘烤的温度为600～1100℃，时间为10～60s，且在H₂氛围中混入惰性气体；去除所述硬掩膜层后，还包括对所述半导体单晶材料层进行圆角处理，所述对半导体单晶材料层进行圆角处理的方法为在O₂氛围下对半导体单晶材料层进行10～30s热氧化形成氧化物，再采用HF水溶液进行较短时间的湿法刻蚀去除氧化物。