发明名称 | 一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型,属于电学层析成像技术领域。针对电阻层析成像技术中灵敏度矩阵的病态性,在可有效提高正问题计算精度的有限元模型a的基础上,以h细化区域的起始层数、终止层数以及三角形有限元内部所插入节点的横坐标、纵坐标为变量,以敏感场均匀分布时灵敏度矩阵条件数的倒数为适应度函数,利用改进粒子群算法h细化有限元模型a,提出一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型b。本发明在不影响正问题计算精度的前提下,改善了敏感场均匀分布时灵敏度矩阵的病态性,有效提高了图像重建质量,适用于以灵敏度理论为基础的电阻层析成像图像重建算法。 | ||
申请公布号 | CN105843984A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
申请号 | CN201610143207.3 | 申请日期 | 2016.03.14 |
申请人 | 肖理庆 | 发明人 | 肖理庆;唐翔 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人 | 刘囝 |
主权项 | 一种基于h细化的电阻层析成像有限元模型,其特征在于,有限元模型分为采取h细化的区域与未采取h细化的区域两部分,具体是在可有效提高正问题计算精度的有限元模型a的基础上,以h细化区域的起始层数、终止层数以及三角形有限元内部所插入节点的横坐标、纵坐标为变量,以敏感场均匀分布时灵敏度矩阵条件数的倒数为适应度函数,利用改进粒子群算法h细化有限元模型a,得到基于h细化的电阻层析成像有限元模型b。 | ||
地址 | 221000 江苏省徐州市新城区富春路1号 |