| 摘要 |
Ein derartiges Bauelementearray ist charakterisiert durch eine Lichtleiterstruktur zum Leiten von in das Bauelementearray einfallender elektromagnetischer Strahlung, die mindestens Mittel aufweist, die die Strahlung in laterale Wellenleitermoden koppelt, sowie durch Arrayelemente (4, 4.1, 4.2, 4.3), die benachbart zu den Mitteln, die die Strahlung in horizontale Wellenleitermoden koppeln, angeordnet sind, und jedes Arrayelement (4, 4.1, 4.2, 4.3) mindestens eine aktive Schicht zur Ausbildung eines optoelektronischen Bauelements aufweist, und die Arrayelemente laterale Abmessungen im Nano- bis Mikrometerbereich aufweisen sowie mindestens von wenigstens einem Matrixmaterial (5) ummantelt sind, und durch einen Betrag des Realteils des Brechungsindex der mindestens einen aktiven Schicht, der größer ist als der Betrag des Realteils des Brechungsindex des das jeweilige Arrayelement (4, 4.1, 4.2, 4.3) ummantelnden Matrixmaterials (5), wobei dieses Verhältnis der beiden Brechungsindizes in einem Abstand von der Lichtleiterstruktur bis mindestens der Abklinglänge der Felder der lateralen Wellenleitermoden gilt. |
