LED 外延结构及其生长方法

摘要

本发明公开了一种LED外延结构及其生长方法。该外延结构包括：GaN缓冲层，设置在蓝宝石衬底上；N型GaN层，掺杂有Si和Al并设置在GaN缓冲层上；量子阱层，设置在N型GaN层上；P型GaN层，设置在量子阱层上。上述N型GaN层包括：第一N型GaN层，设置在GaN缓冲层上；第二N型GaN层，设置在第一N型GaN层上；第三N型GaN层，设置在第二N型GaN层上。上述N型GaN层包括交替设置的Si‑Al‑GaN层和Si‑GaN层。本发明提供的LED外延结构生长方法利用交替式掺杂Si和Al的方式生长N型GaN层，获得Si‑Al‑GaN/Si‑GaN层的周期性结构。采用本发明提供的LED外延结构的生长方法所制作LED的驱动电压得到降低，亮度和光效得到提升。

主权项

一种LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：GaN缓冲层，设置在蓝宝石衬底上；N型GaN层，掺杂有Si和Al并设置在所述GaN缓冲层上；量子阱层，设置在所述N型GaN层上；P型GaN层上，设置在所述量子阱层上；所述N型GaN层包括交替设置的Si‑Al‑GaN层和Si‑GaN层；所述N型GaN层包括：第一N型GaN层，设置在所述GaN缓冲层上；第二N型GaN层，设置在所述第一N型GaN层上；以及第三N型GaN层，设置在所述第二N型GaN层上；在所述第一N型GaN层中，所述Si‑Al‑GaN层与Si‑GaN层交替设置38‑40个周期，其中，所述Si‑Al‑GaN层的厚度为8‑10纳米，其中Si的掺杂浓度为5E+18‑6E+18，Al的掺杂浓度为9E+19‑1E+20；所述Si‑GaN层的厚度为3‑5纳米，其中Si的掺杂浓度为5E+16‑6E+16。