| 发明名称 | 一种分等级结构碳插层MoS<sub>2</sub>@rGO的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于纳米材料的制备领域，具体涉及一种分等级结构碳插层MoS<sub>2</sub>@rGO的制备方法。将hummers方法改进的氧化石墨烯和Mo<sub>3</sub>O<sub>10</sub>(C<sub>2</sub>H<sub>10</sub>N<sub>2</sub>)分散于去离子水中，超声0.5 h后，加入L‑半胱氨酸和葡萄糖，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得碳插层的MoS<sub>2</sub>纳米片垂直生长在石墨烯表面的复合物。该制备方法简单，重复性好、有利于大规模生产，具有潜在的应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN105836804A | 申请公布日期 | 2016.08.10 |
| 申请号 | CN201610212081.0 | 申请日期 | 2016.04.07 |
| 申请人 | 福州大学 | 发明人 | 李亚峰;魏明灯;车宗洲;陈凯翔 |
| 分类号 | C01G39/06(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | C01G39/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人 | 蔡学俊 |
| 主权项 | 一种分等级结构碳插层MoS<sub>2</sub>@rGO的制备方法，其特征在于：将hummers方法改进的氧化石墨烯和Mo<sub>3</sub>O<sub>10</sub>(C<sub>2</sub>H<sub>10</sub>N<sub>2</sub>)分散于去离子水中，超声0.5 h后，加入L‑半胱氨酸和葡萄糖，经水热反应后，再经离心、洗涤、干燥，将得到的产物在惰性气氛下煅烧即得。 | ||
| 地址 | 350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区 | ||