| 发明名称 | 半导体基板的制造方法、半导体基板、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有扩散层的半导体基板的制造方法，具有：对半导体基板的至少一部分分别在不同的区域赋予n型扩散层形成组合物和p型扩散层形成组合物的工序，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质，所述p型扩散层形成组合物含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质；和通过进行热处理而形成n型扩散层、并且形成p型扩散层的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN105830200A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201480069124.3 | 申请日期 | 2014.12.19 |
| 申请人 | 日立化成株式会社 | 发明人 | 织田明博;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;芦泽寅之助;町井洋一;岩室光则;佐藤英一;清水麻理;佐藤铁也 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 葛凡 |
| 主权项 | 一种具有扩散层的半导体基板的制造方法，其具有：对半导体基板上的至少一部分分别在不同的区域赋予n型扩散层形成组合物和p型扩散层形成组合物的工序，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质，所述p型扩散层形成组合物含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质；和通过进行热处理而形成n型扩散层、并且形成p型扩散层的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||