制作具有局部互连金属电极的MIM电容器的方法及相关结构

摘要

本申请涉及制作具有局部互连金属电极的MIM电容器的方法及相关结构。根据例示性实施方式提供了一种在半导体芯片中制作金属-绝缘体-金属（MIM）电容器的方法，包括：在位于半导体芯片的第一金属化层下的器件层上形成底部电容器电极，在底部电容器电极上形成的层间阻挡电介质上形成顶部电容器电极。顶部电容器电极由用于连接形成在器件层中的器件的局部互连金属形成。该方法还包括在第一金属化层中、所述顶部电容器电极上形成金属板，并将所述金属板连接至所述底部电容器电极以提供增高的电容密度。

主权项

一种半导体芯片中的金属‑绝缘体‑金属MIM电容器，所述MIM电容器包括：底部电容器电极，在位于所述半导体芯片的第一金属化层下的器件层之上，所述器件层包括器件的源极/漏极；层间阻挡电介质层，具有形成在所述底部电容器电极上的第一部分和形成在所述器件上的第二部分；顶部电容器电极，在形成于所述底部电容器电极之上的层间阻挡电介质层之上；第一局部互连金属，在没有来自用于形成所述MIM电容器的所述底部电容器电极或所述层间阻挡电介质层的任何组件的阻碍的情况下，与所述器件层中的源极/漏极直接连接，从而使所述第一局部互连金属在穿透所述层间阻挡电介质层的所述第二部分之后终止；以及至少具有第一部分和第二部分的金属电极层，所述第一部分作为所述顶部电容器电极，而所述第二部分作为第二局部互连金属，所述第二局部互连金属位于所述层间阻挡电介质层的第二部分上，而且与所述第一局部互连金属直接连接。