发明名称 基板处理方法、基板处理装置和流体喷嘴
摘要 本发明提供一种能够良好地排除基板上的液膜的基板处理方法、基板处理装置和流体喷嘴,该基板处理方法包括:基板保持工序,由基板保持单元将基板保持为水平姿势;液膜形成工序,向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给处理液来形成液膜;上表面覆盖工序,在由所述基板保持单元保持的基板的上方,从所述基板的中心向周缘并与所述基板的上表面平行且呈放射状地喷出非活性气体,由此形成与所述基板的上表面平行地流动并覆盖所述基板的上表面的非活性气体流;液膜排除工序,通过向所述基板的上表面喷出非活性气体,从所述基板的上表面排除通过所述液膜形成工序形成的所述液膜。
申请公布号 CN105826219A 申请公布日期 2016.08.03
申请号 CN201610045888.X 申请日期 2016.01.22
申请人 株式会社思可林集团 发明人 奥谷学;小林健司;吉原直彦
分类号 H01L21/67(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 宋晓宝;向勇
主权项 一种基板处理方法,其特征在于,包括:基板保持工序,由基板保持单元将基板保持为水平姿势;液膜形成工序,向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给处理液来形成液膜;上表面覆盖工序,在由所述基板保持单元保持的基板的上方,从所述基板的中心向周缘并与所述基板的上表面平行且呈放射状地喷出非活性气体,由此形成与所述基板的上表面平行地流动并覆盖所述基板的上表面的非活性气体流;液膜排除工序,通过向所述基板的上表面喷出非活性气体,从所述基板的上表面排除通过所述液膜形成工序形成的所述液膜。
地址 日本国京都府京都市