| 发明名称 | 一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，包括：第一步骤：在用于制造CMOS图像传感器产品的晶圆的背面形成处理层，所述处理层包含电浆辅助氧化物层、化学气相淀积氮化物层、或者电浆辅助氧化物层与化学气相淀积氮化物层的组合；第二步骤：使用炉管的方法在所述处理层上生长氮化硅层；第三步骤：利用所述氮化硅层作为硬掩膜，刻蚀沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN105826182A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201610355204.6 | 申请日期 | 2016.05.25 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 冯奇艳;许进;唐在峰;任昱;吕煜坤 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种优化CMOS图像传感器晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：在用于制造CMOS图像传感器产品的晶圆的背面形成处理层，所述处理层包含电浆辅助氧化物层、化学气相淀积氮化物层、或者电浆辅助氧化物层与化学气相淀积氮化物层的组合；第二步骤：使用炉管的方法在所述处理层上生长氮化硅层；第三步骤：利用所述氮化硅层作为硬掩膜，刻蚀沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||