多电平转换半导体装置

摘要

当用当前可从市场上买到的半导体模块配置多电平转换系统时，导线电感增大，开关时的浪涌电压增高，半导体芯片和转换系统大，且价格高昂。三个或更多个电平的转换器电路的单相通过组合两种类型的功率半导体模块来配置，这两种类型的功率半导体模块包括反并联地连接有二极管的上臂和下臂IGBT之一以及配置双向开关的元件之一。

主权项

一种使用了双向开关的具有三个或更多个电压波形电平的多电平转换半导体装置，该双向开关通过将连接在具有正侧电位、负侧电位、中间点电位的直流电源的正侧电位与负侧电位之间且分别与二极管反向并联连接的两个IGBT反向串联连接而构成，或由具有反向耐压性的两个IGBT反向并联连接而构成，其特征在于，具备功率半导体模块，该功率半导体模块中，反并联地连接有二极管的第一IGBT和具有反向阻断电压的第二IGBT容纳于一个封装中，其中所述第二IGBT的发射极连接到所述第一IGBT的发射极，且所述第一IGBT的集电极、所述第二IGBT的集电极、以及所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的发射极的连接点均为外部端子。