SRAM单元连接结构

摘要

一种SRAM单元连接结构包括：第一上拉晶体管和第二上拉晶体管、以及与第一上拉晶体管和第二上拉晶体管形成交叉锁存反相器的第一下拉晶体管和第二下拉晶体管。导电部件包括：第一支路，具有第一纵向方向，其中，第一支路互连第一上拉晶体管的漏极和第一下拉晶体管的漏极。导电部件进一步包括：第二支路，具有第二延伸方向。第一纵向方向和第二延伸方向相互不垂直并且相互不平行。第二支路互连第一上拉晶体管的漏极和第二上拉晶体管的栅极。

主权项

一种静态随机存取存储器SRAM单元，包括：第一单元边界和第二单元边界，相互平行；第三单元边界和第四单元边界，相互平行并且垂直于所述第一单元边界和所述第二单元边界；第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，与所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管形成交叉锁存反相器；以及第一导电部件，包括：第一支路，具有第一纵向方向，所述第一支路互连所述第一上拉晶体管的漏极和所述第一下拉晶体管的漏极；和第二支路，具有第二延伸方向，所述第一纵向方向和所述第二延伸方向相互不垂直并且相互不平行，并且所述第二支路互连所述第一上拉晶体管的漏极和所述第二上拉晶体管的栅极；第一传输门晶体管，连接至所述第一上拉晶体管的漏极和所述第一下拉晶体管的漏极；和第二传输门晶体管，连接至所述第二上拉晶体管的漏极和所述第二下拉晶体管的漏极；第一Vss线，与所述第一单元边界重叠并且平行于所述第一单元边界；第一通孔，位于所述第一Vss线下方并与所述第一Vss线接触，所述第一通孔将所述第一Vss线电连接至所述第一下拉晶体管的源极；字线，平行于所述第一Vss线；以及第二通孔，位于所述字线下方并与所述字线接触，所述第二通孔将所述字线电连接至所述第一传输门晶体管的栅极，并且当从上向下观察所述SRAM单元时，连接所述第一通孔的第一中心和所述第二通孔的第二中心的第一连接线不平行于并且不垂直于所述第一单元边界、所述第二单元边界、所述第三单元边界和所述第四单元边界。