| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件以及一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：形成在半导体衬底之上的栅，所述栅彼此间隔开并且每个都具有隧道绝缘层、浮栅、电介质层、第一导电层以及金属硅化物层的层叠结构；第一绝缘层，其沿着所述栅的侧壁以及在所述栅之间的半导体衬底的表面而形成，并且被配置为具有低于金属硅化物层的顶部的高度；以及第二绝缘层，其沿着第一绝缘层的表面以及金属硅化物层的表面而形成，并且被配置为覆盖在栅之间的间隔的上部，其中在栅之间形成气隙。 | ||
| 申请公布号 | CN102769017B | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201110144154.4 | 申请日期 | 2011.05.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金兑京;张民植;金相德 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：形成在半导体衬底上的栅，所述栅彼此间隔开并且每个都具有隧道绝缘层、浮栅、电介质层、第一导电层以及金属硅化物层的层叠结构；第一绝缘层，所述第一绝缘层沿着所述栅的侧壁以及在所述栅之间的半导体衬底的表面而形成，并且被配置为具有低于所述金属硅化物层的顶部的高度；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层沿着所述第一绝缘层的表面以及所述金属硅化物层的表面而形成，并且被配置为覆盖在所述栅之间的间隔的上部，其中在所述栅之间形成气隙，其中，所述第一绝缘层保留在所述气隙的底部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||