发明名称 一种制备氮化硅—二氧化硅梯度透波复相陶瓷的方法
摘要 本发明公开了一种具有梯度二氧化硅分布的氮化硅—二氧化硅复相陶瓷的制备方法。该复相陶瓷内部的微结构梯度渐变,其一侧的微结构致密少有微孔,而另一侧的微结构仍为多孔结构。这种梯度渐变的微结构,可在不降低氮化硅—二氧化硅复相陶瓷的介电性能的情况下,显著改善其抗吸潮性能,并进一步提高其力学性能。该方法能够克服传统工艺制备的氮化硅基多孔陶瓷,由于大量微孔裸露导致其在存放和使用过程中吸潮而造成介电常数增大的不足。
申请公布号 CN105819866A 申请公布日期 2016.08.03
申请号 CN201610161376.X 申请日期 2016.03.22
申请人 烟台大学 发明人 李向明;李刚;高明军
分类号 C04B35/584(2006.01)I;C04B38/00(2006.01)I 主分类号 C04B35/584(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种制备氮化硅—二氧化硅梯度透波复相陶瓷的方法,其特征在于包括以下步骤,步骤a:将粒径为0.1~0.6微米的氮化硅粉与酚醛树脂按(80~90):(10~20)的比例混合制成混合粉料,将混合粉料倒入球磨罐中,按每100克混合粉料加入200~300毫升无水乙醇、15~25颗直径为8~12毫米的氧化铝球,球磨15~20小时制成陶瓷浆料;将制成的陶瓷浆料取出烘干,然后粉碎,过60~100目筛后倒入模具,采用80~100MPa的压力模压成坯体,然后在1200~1300℃空气中烧结2~3小时后,得到微结构均匀的多孔氮化硅—二氧化硅复相陶瓷;步骤b:将制备的多孔氮化硅—二氧化硅复相陶瓷水平置于密闭空腔上方,其上表面与空气接触,其下表面作为密闭空腔的上表面,密闭空腔温度控制在90~95℃,压力在1.01~1.03个大气压,保持10~20分钟;然后,将硅溶胶倒入多孔氮化硅—二氧化硅复相陶瓷上表面,保持90~120分钟后,将多孔氮化硅—二氧化硅复相陶瓷取出并烘干;步骤c:将多孔氮化硅—二氧化硅复相陶瓷放入高温炉中,通入氮气,在1200~1250℃烧结2~3小时后,得到梯度二氧化硅分布的氮化硅—二氧化硅复相陶瓷。
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