形成掩埋导电层方法、材料厚度控制法、形成晶体管方法

摘要

本发明提供用于在形成在半导体基板上的沟槽内形成掩埋导电层的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于形成沟槽栅型晶体管的方法。方法包括：在半导体基板和所述沟槽的上表面上形成第一介电材料层；在第一介电材料层上形成第一导电材料层；图样化第一介电材料层和所述第一导电材料层以形成第一导电电极，所述第一导电电极包括在所述沟槽内沿着所述沟槽的纵轴延伸的第一部分以及在所述沟槽的第一末端处的所述基板的顶部上延伸的第二部分；在所述第一导电材料层上形成第二介电材料层；在所述第二导电材料层上形成第二介电材料层；以及图样化所述第二介电材料层和所述第二导电材料层。

主权项

一种用于在形成在半导体基板上的沟槽内形成掩埋导电层的装置，包括：有源沟槽；第一栅极多晶硅部分，设置在所述有源沟槽中；第二栅极多晶硅部分，设置在所述有源沟槽中；以及屏蔽电极，设置在所述有源沟槽中，所述屏蔽电极设置在所述第一栅极多晶硅部分与所述第二栅极多晶硅部分之间；其中，所述第一栅极多晶硅部分和所述第二栅极多晶硅部分上覆盖介电材料层；所述屏蔽电极为屏蔽多晶硅，通过刻蚀屏蔽氧化物，在所述屏蔽多晶硅的第一侧面上形成第一槽并且在所述屏蔽多晶硅的第二侧面上形成第二槽；在所述第一槽和第二槽的侧壁和底壁上形成栅极氧化层；在形成有所述栅极氧化层的所述第一槽以及所述第二槽中形成所述第一栅极多晶硅部分和所述第二栅极多晶硅部分。