| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法包括：在半导体衬底上形成浮栅结构后，对所述浮栅结构表面进行离子掺杂，以形成第一绝缘层，之后再于所述第一绝缘层上覆盖形成第二绝缘层，并在所述第二绝缘层上形成控制栅结构。所述第一绝缘层和第二绝缘层可提高浮栅结构和控制栅结构之间的绝缘效果，减小浮栅结构和控制栅结构之间的漏电现象，进而提升诸如NAND存储器的器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105826272A | 申请公布日期 | 2016.08.03 |
| 申请号 | CN201510012071.8 | 申请日期 | 2015.01.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成浮栅结构；对所述浮栅结构的表面进行离子掺杂，形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成控制栅结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||