| 发明名称 | 一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制作方法，该碳化硅MOSFET器件包括多个元胞，各元胞之间通过互联金属(12)相连接，每个元胞包括一个栅极、一个栅氧化层、两个源极、一个N型漂移层、一个N+缓冲层、一个N+衬底、漏极和隔离介质。本发明的工艺步骤中，接触区域开孔、蒸发接触金属并剥离使用的光刻板不仅在源极区域有图形，在栅极pad区域也存在图形。 | ||
| 申请公布号 | CN105810722A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610150734.7 | 申请日期 | 2016.03.16 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 田丽欣;温正欣;张峰;赵万顺;王雷;刘兴昉;闫果果;孙国胜;曾一平 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 乔东峰 |
| 主权项 | 一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，该碳化硅MOSFET器件包括多个元胞，各元胞之间通过互联金属(12)相连接，每个所述元胞包括一个栅极、一个栅氧化层、两个源极、一个N型漂移层、一个N+缓冲层、一个N+衬底、漏极和隔离介质，其中，所述栅极(1)与源极(3)位于器件的正面，所述漏极(10)位于器件的底部，所述隔离介质(11)将所述栅极(1)与所述两个源极(2)隔离，所述栅极(1)的下方为所述栅氧化层(2)；所述N+衬底(9)形成于所述漏极(10)之上，其上依次外延形成所述N+缓冲层(8)、N型漂移层(7)；所述N型漂移层(7)顶部左右两侧分别为一个P+基区(6)，紧邻所每个述P+基区(6)分别有一个N+源区(5)，紧邻的一个P+基区(6)及一个N+源区(5)作为组合包裹于一个P型阱区(4)；所述栅氧化层(2)位于所述N型漂移层(7)之上并部分延伸至所述N+源区(5)之上，所述源极(3)覆盖部分所述P+源区(5)及全部的P+基区(6)。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||