| 摘要 |
본 발명은, 스루홀이나 비아홀 등을 구성하는 오목부의 바닥부, 측벽부 및 상단부에까지 걸쳐서 퇴적막을 잔존시키면서도, 오목부 내에 재료를 충분하게 매립하는 것이 가능해 지는, 기판 가공 방법 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 가공 방법은, 기판의 오목부의 개구부에 형성된 퇴적막에, 기판 면내 방향에 대하여 제 1 각도의 방향으로부터 입자빔을 조사하여, 퇴적막의 두께 방향의 일부를 제거하는 제 1 조사 공정과, 제 1 조사 공정의 후에, 제 1 각도보다도 기판 면내 방향에 대하여 보다 수직에 가까운 제 2 각도의 방향으로부터 입자빔을 조사하여, 잔존하는 퇴적막의 두께 방향의 일부를 제거하는 제 2 조사 공정을 갖는다. |
