一种NPNPN型双向可控硅静电防护器件及其版图

摘要

本发明公开了一种NPNPN型双向可控硅静电防护器件及其版图，包括P型衬底，所述P型衬底上设有N深阱；所述N型深阱内设有第一P阱和第二P阱；第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区，第二P+注入区横跨第一P阱和N型深阱；第二P阱内从左到右依次设有第三P+注入区、第二N+注入区、第四P+注入区，第三P+注入区横跨第二P阱和N深阱；所述第一P+注入区与第一N+注入区连接阳极；所述第二N+注入区和第四P+注入区连接到阴极；所述P型衬底内设有第五P+注入区用作衬底接触。本发明可控硅静电防护器件具有双向泄放静电的能力，可用于信号电平低于地和高于地的集成电路输入输出引脚的静电防护；在芯片上集成时，具有基本对称的正反向静电防护特性；采用环压焊块八边形器件实现版图，可提高器件泄放效率和静电防护能力。

主权项

一种用于信号电平低于地和高于地的集成电路输入输出引脚的双向可控硅静电防护器件，包括：P型半导体衬底；形成于P型衬底内的N型深阱，所述N型深阱内设有对称的第一P阱和第二P阱；第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区，第二P+注入区横跨第一P阱和N型深阱的交界处；第二P阱内从左到右依次设有第三P+注入区、第二N+注入区、第四P+注入区，第三P+注入区横跨第二P阱和N型深阱的交界处；所述第一P+注入区与第一N+注入区连接阳极，第二N+注入区和第四P+注入区连接阴极。