用于FinFET的结构

摘要

本发明涉及用于FinFET的结构。其中，一种SRAM阵列由多个FinFET形成，这些FinFET由鳍线形成。每个鳍线形成于衬底中，其中鳍线的底部部分由隔离区域包围，并且鳍线的上部分在隔离区域的顶表面上方突出。从SRAM阵列的第一横截面图观看，每个鳍线为矩形形状。从SRAM阵列的第二横截面图观看，每个鳍线的端子为锥形形状。

主权项

一种装置，包括：隔离区域，形成在衬底中；鳍线，形成在所述衬底中，其中：鳍线被第一栅电极结构包围，以形成第一晶体管；并且在所述鳍线的沿着其长度方向的截面中，所述鳍线的末端为锥形形状，所述鳍线包括：沟道，连接在所述第一晶体管的第一漏极/源极区域与第二漏极/源极区域之间；以及第二栅电极，包围所述鳍线，以形成伪晶体管。