发明名称 |
一种半导体激光器退化机制的检测方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体激光器退化机制的检测方法,其包括:在同等条件下分别测量失效的半导体激光器的瞬态降温曲线和标准工作的半导体激光器的瞬态降温曲线,对两瞬态降温曲线进行比对,得到失效的半导体激光器的退化机制。本发明利用了半导体激光器瞬态传热特点,通过正向电压测结温的方法或者其他方法得到激光器的瞬态降温曲线,再通过比较失效后激光器的瞬态降温曲线和标准工作的激光器的瞬态降温曲线的差异来找到激光器发生退化的位置,并根据变化量的大小初步判定其可能的失效机制,从而快速的确定激光器失效的原因并找到解决方法,最终延长激光器的工作寿命。 |
申请公布号 |
CN105807197A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201410835806.2 |
申请日期 |
2014.12.29 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳睿光电有限公司 |
发明人 |
温鹏雁;李德尧;张书明;刘建平;张立群;杨辉 |
分类号 |
G01R31/26(2014.01)I |
主分类号 |
G01R31/26(2014.01)I |
代理机构 |
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 |
代理人 |
王锋 |
主权项 |
一种半导体激光器退化机制的检测方法,其特征在于包括:在同等条件下分别测量失效的半导体激光器的瞬态降温曲线和标准工作的半导体激光器的瞬态降温曲线,对两条瞬态降温曲线进行比对,得到失效的半导体激光器的退化机制。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 |