发明名称 |
用于制造铁氧体棒的精确批量生产方法 |
摘要 |
本发明涉及用于制造铁氧体棒的方法。所述方法包括将腔体蚀刻到两个导体基板中并且将铁氧体层沉积到腔体中。所述半导体基板被附接到彼此以使得铁氧体层形成铁氧体棒。本发明采用常规的对半导体晶片的光刻和体各向同性微工以精确地和可再现地形成模板或模具,磁性材料可以被沉积到其以形成法拉第旋转或相位移动元件。 |
申请公布号 |
CN105814655A |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201480066647.2 |
申请日期 |
2014.10.01 |
申请人 |
皇家飞利浦有限公司 |
发明人 |
J·B·米尔斯 |
分类号 |
H01F41/32(2006.01)I;H01P1/19(2006.01)I |
主分类号 |
H01F41/32(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
王英;刘炳胜 |
主权项 |
一种制造铁氧体棒的方法,所述方法包括如下步骤:将第一腔体蚀刻(2690)到第一半导体基板(101、201、301、401‑1、601‑1、801‑1、1001‑1、1201‑1)的第一表面中;将第一铁氧体层(310、410、610、810、1010、1210)沉积(2691)到所述第一腔体中;将第二腔体蚀刻(2692)到第二半导体基板(401‑2、601‑2、801‑2、1001‑2、1201‑2)的第二表面中;将第二铁氧体层(310、410、610、810、1010、1210)沉积(2693)到所述第二腔体中;将所述第一半导体基板(101、201、301、401‑1、601‑1、801‑1、1001‑1、1201‑1)的所述第一表面附接(2694)到所述第二半导体基板(401‑2、601‑2、801‑2、1001‑2、1201‑2)的所述第二表面,使得所述第一铁氧体层(310、410、610、810、1010、1210)与所述第二铁氧体层(310、410、610、810、1010、1210)相接触。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |