| 摘要 |
기판 위의 게이트 전극층; 게이트 전극층 위의 게이트 절연층; 게이트 절연층 위의 제 1 소스 전극층 및 제 1 드레인 전극층; 게이트 절연층 위의 산화물 반도체층; 및 산화물 반도체층 위의 제 2 소스 전극층 및 제 2 드레인 전극층을 포함하고, 산화물 반도체층의 하면의 제 1 부분, 제 2 부분 및 제 3 부분은 제 1 소스 전극층, 제 1 드레인 전극층, 게이트 절연층과 각각 접하고, 산화물 반도체층의 상면의 제 1 부분 및 제 2 부분은 제 2 소스 전극층 및 제 2 드레인 전극층과 각각 접하는 반도체 장치가 제공된다. 제 1 소스 전극층 및 제 1 드레인 전극층은 제 2 소스 전극층 및 제 2 드레인 전극층에 각각 전기적으로 접속된다. |
