应力调控波导层绿光激光器外延片及其制备方法

摘要

一种应力调控波导层绿光激光器外延片，包括：一衬底；一高温n型GaN层制作在衬底上；一高温n型AlGaN限制层制作在高温n型GaN层上；一应力调控下波导层制作在高温n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN多量子阱发光层制作在应力调控下波导层上；一p型AlGaN电子阻挡层制作在InGaN/GaN多量子阱发光层上；一非掺杂上波导层制作在p型AlGaN电子阻挡层上；一p型限制层制作在非掺杂上波导层上；一p型GaN层制作在p型限制层上。本发明是通过引入多层In组分渐增的InGaN应力调控波导层，在增加GaN基绿光激光器光场限制因子的同时降低绿光量子阱的应力。另外，采用氮氢混合载气生长并处理InGaN波导层表面，改善波导层的表面质量，提高绿光激光器的性能。

主权项

一种应力调控波导层绿光激光器外延片，包括：一衬底；一高温n型GaN层，其制作在衬底上；一高温n型AlGaN限制层，其制作在高温n型GaN层上；一应力调控下波导层，其制作在高温n型AlGaN限制层上；一InGaN/GaN多量子阱发光层，其制作在应力调控下波导层上；一p型AlGaN电子阻挡层，其制作在InGaN/GaN多量子阱发光层上，生长温度为1000‑1200℃，厚度为10‑20nm，Al组分为10％‑20％；一非掺杂上波导层，其制作在p型AlGaN电子阻挡层上，该非掺杂上波导层的材料为GaN或InGaN，其厚度为0.05‑0.3μm；一p型限制层，其制作在非掺杂上波导层上，该p型限制层的材料为AlGaN或A1GaN/GaN超晶格；一p型GaN层，其制作在p型限制层上。