一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉

摘要

本实用新型公开了一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉，涉及半导体材料制备技术领域。本实用新型包括电极、热偶、加热器、炉室、源炉、机械臂、观察窗、上传动杆、密封盖、坩埚、下传动杆，通过机械臂将源炉插入熔体中，进行原位合成，利用观察窗观察合成情况，进而调节合成参数，合成完成后将密封盖降下，开始晶体生长。本实用新型采用原位合成多晶料并连续进行VGF单晶生长，提高了合成效率，避免了难熔氧化物的生产，减少了杂质沾污，提高材料纯度，降低生长界面孪晶的成核几率，减小杂质补偿，提高衬底晶片的电学参数，减少了工艺环节，节省了专门的高压合成设备，降低了晶体的位错密度和残余热应力。

主权项

一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉，包括电极（1）、热偶（2）、加热器（3）、炉室（4）、源炉（5）、机械臂（6）、观察窗（7）、上传动杆（8）、密封盖（9）、坩埚（10）、下传动杆（12），坩埚（10）置于炉室（4）内，筒状的加热器（3）包绕在坩埚（10）的四周，电极（1）分设在加热器（3）的两侧，热偶（2）设置在加热器（3）的一侧，与坩埚驱动装置相连的下传动杆（12）设于炉室（4）的下方，其特征在于，还包括与升降装置相连的上传动杆（8），上传动杆（8）自炉室（4）的上方穿入炉室（4）内，上传动杆（8）的下端设有能够封闭加热器（3）的密封盖（9），上传动杆（8）为中空杆，密封盖（9）设有中心孔，观察窗（7）穿过上传动杆（8）和密封盖（9）的中心伸入到炉室（4）内，炉室（4）外设有与观察窗（7）连接的视频监控系统，用于向坩埚（10）注入挥发元素的源炉（5）与机械臂（6）相连，机械臂（6）与炉室（4）外的升降旋转驱动装置驱动连接，源炉（5）位于坩埚（10）的上方，升降旋转驱动装置驱动机械臂（6）使源炉（5）能够上下移动并旋转正对坩埚（10）上方或转开。