发明名称 |
一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法,包括:首先制备铜镍合金衬底;然后提供一金属片,将所述铜镍合金衬底和金属片进行清洗后置于化学气相沉积腔室内,其中,所述金属片位于所述铜镍合金衬底表面上方预设距离处;最后往所述化学气相沉积腔室内通入Ar和CH<sub>4</sub>的混合气氛,并且设置在一定压强和温度下,在所述铜镍合金上生长获得少层石墨烯。本发明利用高温下金属片产生的大量金属蒸气,在铜镍合金衬底表面形成一层富金属层,同时利用铜镍合金快速生长高质量石墨烯的特点,通过调节优化生长参数,达到快速生长层数可控石墨烯的目的。本发明方法操作简单,成本低,可重复性好,为双层石墨烯在光电器件等领域的应用和工业化发展打下了基础。 |
申请公布号 |
CN105779964A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201610345428.9 |
申请日期 |
2016.05.23 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
杨超;吴天如;卢光远;张学富;王浩敏;谢晓明;江绵恒 |
分类号 |
C23C16/26(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/26(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
唐棉棉 |
主权项 |
一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括:1)制备铜镍合金衬底;2)提供一金属片,将所述铜镍合金衬底和金属片进行清洗后置于化学气相沉积腔室内,其中,所述金属片位于所述铜镍合金衬底表面上方预设距离处;3)往所述化学气相沉积腔室内通入Ar和CH<sub>4</sub>的混合气氛,并且设置在一定压强和温度下,在所述铜镍合金衬底上生长获得少层石墨烯。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |