发明名称 |
一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 |
摘要 |
一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法,该方法包括:提供绝缘衬底;在衬底上形成石墨烯导电层;在石墨烯导电层上沉积栅介质;图形化得到栅电极;形成栅极侧壁;以含有侧壁的栅极为掩膜,对栅介质层进行腐蚀;制作源漏自对准电极,其中栅极侧墙作为隔离,避免栅源、栅漏电极短路;最后,腐蚀掉栅极侧壁,得到空气隙自对准石墨烯晶体管。本发明方法制备工艺简单,易于与集成电路制造工艺兼容,同时由于实现了栅与源漏电极的自对准,从而大大缩短了器件通路区,减小了寄生电阻;通过侧壁腐蚀,形成空气隙,减小了栅源、栅漏之间的寄生电容,提高了石墨烯射频场效应晶体管性能。 |
申请公布号 |
CN105789032A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201610306272.3 |
申请日期 |
2016.05.10 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
金智;王少青;毛达诚;史敬元;彭松昂;张大勇 |
分类号 |
H01L21/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/04(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种石墨烯场效应晶体管的制造方法,包括:提供绝缘衬底;在所述绝缘衬底上形成石墨烯导电层;在所述石墨烯导电层上沉积一栅介质层;在所述栅介质层上,形成栅电极;在上述制备的器件上沉积栅极侧墙薄膜,进行无掩膜各向异性刻蚀,在所述栅电极两侧形成栅极侧墙,所述栅电极和栅极侧墙以外区域暴露出栅介质层;以带有所述栅极侧墙的栅电极作为掩膜,对所述栅介质层进行腐蚀,去除不被所述栅电极覆盖的栅介质;在上述制备的器件上形成金属层,并形成源电极和漏电极,所述源电极、漏电极与所述栅电极形成自对准结构;腐蚀所述栅极侧壁,使得所述栅电极与源电极、所述栅电极与漏电极之间形成空气隙结构。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |