发明名称 |
一种半导体器件及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件及其制作方法,所述制作方法包括:提供晶圆,所述晶圆包括若干芯片,在相邻所述芯片之间设置有切割道;在所述芯片靠近切割道的角上覆盖保护层,以使所述角被包裹于所述保护层内;对晶圆进行切割。根据本发明的制作方法,采用保护层对芯片的角进行保护,防止切割过程中的应力作用于芯片的角上而产生裂缝等缺陷,也进一步避免了由于裂缝的存在而导致的金属层剥落等问题的产生,进而提高了器件的良率和性能。 |
申请公布号 |
CN105789063A |
申请公布日期 |
2016.07.20 |
申请号 |
CN201410841362.3 |
申请日期 |
2014.12.25 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张贺丰 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;高伟 |
主权项 |
一种半导体器件的制作方法,包括:提供晶圆,所述晶圆包括若干芯片,在相邻所述芯片之间设置有切割道;在所述芯片靠近切割道的角上覆盖保护层,以使所述角被包裹于所述保护层内;对晶圆进行切割。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |