| 发明名称 | 一种阻变存储器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阻变存储器及其制作方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的Al<sub>2</sub>O<sub>3-x</sub>阻变存储层，其中0.6＜x＜2.4。其制作方法包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)采用磁控溅射法在衬底上形成底电极；(3)采用磁控溅射法在底电极上沉积Al<sub>2</sub>O<sub>3-x</sub>阻变存储层；(4)采用磁控溅射法在Al<sub>2</sub>O<sub>3-x</sub>阻变存储层上形成顶电极。本发明采用磁控溅射法沉积底电极、顶电极以及阻变存储功能层材料，解决了现有阻变存储器制作成本高的问题，同时该阻变存储器的制作工艺简单，与传统的CMOS工艺兼容性好。 | ||
| 申请公布号 | CN105789433A | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201410822915.0 | 申请日期 | 2014.12.25 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 赵鸿滨;屠海令 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 刘秀青;熊国裕 |
| 主权项 | 一种阻变存储器，其特征在于，该阻变存储器包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的Al<sub>2</sub>O<sub>3‑x</sub>阻变存储层，其中0.6＜x＜2.4。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||