支持多通道主控并发的CE NAND Flash的页模型构建方法及页模型

摘要

本发明公开了一种支持多通道主控并发的CE NAND Flash的页模型构建方法及页模型，利用下述关系式构建页模型：FPageTempS=FPage / TCC；FPageTempY=FPage ‑ FPageTempS * TCC；ACe=FPageTempY / TCh；ACh=FPageTempY ‑ ACe * TCh；其中，FPageTempY为中间变量；ACe表示当前操作的片选通道；ACh表示当前操作的通道；FPageTempS表示当前操作的物理页；FPage为当前操作的逻辑页；TCC为所有通道的片选通道总数；TCh为通道数量；/表示取商。本发明可以对各个通道内的读、写、擦进行并发处理，同时对各个物理页进行读、写、擦操作，从而大大节省了操作时间，有效提高了主控的吞吐量和存储设备的读写速度。

主权项

一种支持多通道主控并发的CE NAND Flash的页模型构建方法，其特征在于，利用下述关系式构建页模型：FPageTempS = FPage / TCC；FPageTempY = FPage ‑ FPageTempS * TCC；ACe = FPageTempY / TCh；ACh = FPageTempY ‑ ACe * TCh；其中，FPageTempY为中间变量；ACe表示当前操作的片选通道；ACh表示当前操作的通道；FPageTempS表示当前操作的物理页；FPage为当前操作的逻辑页；TCC为所有通道的片选通道总数；TCh为通道数量；/表示取商。