基于新型High-K材料的GeSn沟道场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种基于新型High‑K材料的GeSn沟道场效应晶体管，主要解决现有基于现有介质材料的场效应晶体管，静态功耗大的问题。其包括：衬底(1)、沟道(2)、绝缘介质薄膜(3)、栅电极(4)、源极(5)和漏极(6)，衬底(1)采用的单晶半导体材料；该沟道(2)，采用Sn组分为[0.05，0.12]的通GeSn复合材料；该绝缘介质薄膜(3)采用介电常数在3.9～80范围的高介电常数材料；该栅电极(4)和绝缘介质薄膜(3)自上而下覆盖沟道(2)的正上方。本发明可在不提高工艺成本且满足等效氧化层厚度的前提下，提高栅极介电层的物理厚度，降低栅极漏电流，减小静态功耗，进而提升场效应晶体管的整体性能。

主权项

基于新型High‑K材料的GeSn沟道场效应晶体管，包括：衬底(1)、沟道(2)、绝缘介质薄膜(3)、栅电极(4)、源极(5)和漏极(6)，该衬底(1)采用的IV族单晶半导体材料；该沟道(2)，采用通式为Ge_1‑xSn_x的GeSn单晶材料，其中x为Sn的组分，且0.05≤x≤0.12；该栅电极(4)和绝缘介质薄膜(3)自上而下覆盖于沟道(2)的正上方，其特征在于：绝缘介质薄膜(3)采用介电常数在3.9～80范围的高介电常数材料。