半导体装置

摘要

本发明公开一种半导体装置，其包括第一绝缘层及第二绝缘层，依序设置于基底上，其中基底具有中心区域。第一绕线部及第二绕线部设置于第二绝缘层内并围绕中心区域，且分别包括由内向外排列的第一导线层、第二导线层及第三导线层，且第一导线层、第二导线层及第三导线层分别具有第一端及第二端，其中第一导线层的第一端互相耦接。耦接部设置于第一绕线部该第二绕线部之间的第一绝缘层及第二绝缘层内，且耦接部包括第一对连接层，交错连接第一导线层及第二导线层的第二端。第二对连接层，交错连接第二导线层及第三导线层的第一端。其中第一导线层与相邻的第二导线层之间具有多个相同或不同的间距，且其中至少一间距大于第二导线层与相邻的第三导线层之间的间距。

主权项

一种半导体装置，包括：第一绝缘层及第二绝缘层，依序设置于一基底上，其中该基底具有一中心区域；第一绕线部及第二绕线部，设置于该第二绝缘层内并围绕该中心区域，且分别包括由内向外排列的第一导线层、第二导线层及第三导线层，且多个第一导线层、多个第二导线层及多个第三导线层分别具有第一端及第二端，其中该多个第一导线层的多个第一端互相耦接；以及耦接部，设置于该第一绕线部及该第二绕线部之间的该第一绝缘层及该第二绝缘层内，且该耦接部包括：第一对连接层，交错连接该多个第一导线层及该多个第二导线层的多个第二端；以及第二对连接层，交错连接该多个第二导线层及该多个第三导线层的多个第一端；其中该第一导线层与相邻的该多个第二导线层之间具有多个相同或不同的间距，且其中至少一间距大于该多个第二导线层与相邻的该多个第三导线层之间的间距。