发明名称 |
用于选择性蚀刻氧化物和氮化物材料的技术及使用该技术形成的产品 |
摘要 |
公开了用于选择性蚀刻工件上的氧化物和氮化物材料的技术。这样的技术包括用于借助于由点燃等离子气流而产生的远程等离子体来蚀刻工件的方法。通过控制等离子体气流的不同组分的流率,可以获得呈现出期望的蚀刻特性的等离子体。这样的等离子体可以用在单蚀刻操作或多步骤蚀刻操作中,例如可以在非平面微电子器件的产生中使用的凹陷蚀刻操作中。 |
申请公布号 |
CN105765704A |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201380081208.4 |
申请日期 |
2013.12.27 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
J·A·法默;G·特里奇;J·桑福德;D·B·伯格斯特龙 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;王英 |
主权项 |
一种用于选择性蚀刻工件上的氧化物和氮化物的方法,包括:将所述工件暴露至包括第一等离子体气流的反应性种类的第一等离子体,以便以第一氧化物:氮化物蚀刻比率来去除所述氧化物和所述氮化物的至少一部分,所述第一等离子体气流包括三氟化氮气体(NF<sub>3</sub>)、氨气(NH<sub>3</sub>)和氢气(H<sub>2</sub>);将所述工件暴露至包括第二等离子体气流的反应性种类的第二等离子体,以便以第二氧化物:氮化物蚀刻比率来去除所述氧化物和所述氮化物的至少一部分,所述第二等离子体气流包括NF<sub>3</sub>、NH<sub>3</sub>和H<sub>2</sub>;其中,所述第一氧化物:氮化物蚀刻比率与所述第二氧化物:氮化物蚀刻比率不同。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |