| 发明名称 | 鳍式场效应晶体管及其鳍的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种鳍的制造方法，包括：提供半导体衬底；刻蚀半导体衬底以形成鳍；至少进行一次氧化去除工艺，氧化去除工艺包括：进行氧化工艺，以形成氧化层；去除氧化层。本发明在刻蚀衬底形成鳍后，进行氧化和去除工艺，以缩小鳍的关键尺寸，同时改善鳍的线条的粗糙度，提高器件的集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN105762071A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201410789728.7 | 申请日期 | 2014.12.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李春龙;闫江;李俊峰;赵超 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;吴兰柱 |
| 主权项 | 一种鳍的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；刻蚀半导体衬底以形成鳍；至少进行一次氧化去除工艺，氧化去除工艺包括：进行氧化工艺，以形成氧化层；去除氧化层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||