| 发明名称 | 自钝化机械稳定的气密性薄膜 | ||
| 摘要 | 气密性薄膜，其包括第一无机层和与第一无机层邻接的第二无机层，其中该第二无机层作为第一无机层与氧的反应产物形成，其摩尔体积比第一无机层的摩尔体积大大约‑1%至15%。该第二无机层的平衡厚度至少是第一无机层的刚沉积厚度的10%但小于该厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN103025911B | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201180036263.2 | 申请日期 | 2011.07.13 |
| 申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | C·P·安;M·A·凯斯达 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I;C03C3/247(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 一种气密性薄膜，其包括：在基材上形成的具有初始厚度的第一无机层；和与第一无机层邻接的第二无机层；其中第一无机层和第二无机层具有相同的元素组成；第二无机层的摩尔体积比第一无机层的摩尔体积大‑1％至15％；和第二无机层的平衡厚度是第一无机层的初始厚度的至少10％但小于该初始厚度；第一无机层和第二无机层的材料组合选自(i)SnO和SnO<sub>2</sub>，(i i)SiO和β‑石英型SiO<sub>2</sub>和(i i i)CuO和副黑铜矿Cu<sup>+</sup><sub>2</sub>Cu<sup>2+</sup><sub>2</sub>O<sub>3</sub>。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||