用于HEMT器件的等离子体保护二极管

摘要

本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括硅衬底。第一III-V族化合物层设置在硅衬底上方。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方。半导体器件包括设置在第一III-V族化合物层并且部分设置在第二III-V族化合物层中的晶体管。半导体器件包括设置在硅衬底中的二极管。半导体器件包括连接至二极管并且延伸穿过至少第一III-V族化合物层的通孔。通孔电连接至晶体管或者邻近晶体管设置。本发明提供了用于HEMT器件的等离子体保护二极管。

主权项

一种半导体器件，包括：高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，至少部分地形成在硅衬底上方的III‑V族化合物层中；以及二极管，形成在所述硅衬底中，所述二极管通过通孔电连接至所述高电子迁移率晶体管器件和邻近所述高电子迁移率晶体管器件设置的接触焊盘中的一种；其中，所述二极管包括：第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述通孔直接相连，并且所述第一掺杂区与所述硅衬底的掺杂类型不同；第二掺杂区，所述第二掺杂区包围所述第一掺杂区，并且所述第二掺杂区与所述硅衬底的掺杂类型相同。