| 发明名称 | Cu包覆Mg棒中心扩散法低温制备二硼化镁超导线材的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及Cu包覆Mg棒中心扩散法制备MgB<sub>2</sub>超导线材的方法，对Mg棒进行Cu膜包覆处理，然后对Cu膜包覆的Mg棒进行预热处理；随后将热处理后的Cu包覆Mg棒固定于金属管中心位置，Cu包覆的Mg棒与金属管之间的空隙用碳掺杂的非晶或晶体硼粉压实填充；将填充后的金属管经过多次冷拉拔成直径为0.80～1.40mm的线材；最后采用650℃以下温度，对线材进行加热处理，保温时间为5～20小时，炉冷至室温。本发明选用的Cu膜方便易得，操作方法简单易行，更重要的是Cu膜包覆技术可显著降低传统IMD线材的加热制备温度，在一定程度上降低了MgB<sub>2</sub>超导线材的制备成本。大大推动了MgB<sub>2</sub>的实用化进程。 | ||
| 申请公布号 | CN105741977A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610079382.0 | 申请日期 | 2016.02.04 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 马宗青;彭俊明;程芳;刘永长;蔡奇 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B12/02(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 王丽 |
| 主权项 | 一种Cu包覆Mg棒中心扩散法制备MgB<sub>2</sub>超导线材的方法，其特征是对Mg棒进行Cu膜包覆处理，然后对Cu膜包覆的Mg棒进行预热处理；随后将热处理后的Cu包覆Mg棒固定于金属管中心位置，Cu包覆的Mg棒与金属管之间的空隙用碳掺杂的非晶或晶体硼粉压实填充；将填充后的金属管经过多次冷拉拔成直径为0.80～1.40mm的线材；最后采用650℃以下温度，对线材进行加热处理，保温时间为5～20小时，炉冷至室温。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学 | ||