发明名称 |
一种石墨烯掺杂转移方法 |
摘要 |
本发明涉及石墨烯生产技术领域,尤其涉及一种石墨烯掺杂转移方法,包括以下步骤:步骤一,在生长石墨烯表面涂布高分子掺杂转移介质;步骤二,将得到的涂布有掺杂转移介质的石墨烯压合贴附在目标基底表面上,形成由目标基底、掺杂转移介质、石墨烯和生长基底依次组成的复合结构;步骤三,对所述复合结构进行加压真空处理;步骤四,对进行加压真空处理后的复合结构进行加热处理;步骤五,对加热处理后的复合结构进行分离处理,分离掉复合结构中的生长基底。本发明的有益效果是:选用具有掺杂效果的高分子材料同时作为石墨烯转移材料和掺杂材料,利用高分子的稳定性特点提高掺杂稳定性,省去后续石墨烯掺杂步骤,简化了石墨烯生产工艺。 |
申请公布号 |
CN104528694B |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201410764269.7 |
申请日期 |
2014.12.12 |
申请人 |
重庆墨希科技有限公司;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
发明人 |
姜浩;黄德萍;朱鹏;李占成;高翾;张永娜;史浩飞;杜春雷 |
分类号 |
C01B31/04(2006.01)I |
主分类号 |
C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京轻创知识产权代理有限公司 11212 |
代理人 |
杨立 |
主权项 |
一种石墨烯掺杂转移方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,在生长石墨烯表面涂布高分子掺杂转移介质(2),所述高分子掺杂转移介质(2)为含有氰基官能团侧基和/或硝基官能团侧基和/或磺酸基官能团侧基和/或氟官能团侧基的聚合物;步骤二,将得到的涂布有掺杂转移介质的石墨烯压合贴附在目标基底表面上,形成由目标基底(1)、掺杂转移介质(2)、石墨烯(3)和生长基底(4)依次组成的复合结构;步骤三,对所述复合结构进行加压真空处理,加压真空处理的压力为0.5MPa至15MPa,加压真空处理的处理时间为0.5hr至5hr,真空压力为0.1Pa至200Pa;步骤四,对进行加压真空处理后的复合结构进行加热处理,所述加热处理的温度为50‑200℃,加热处理时间为5‑400min;步骤五,对加热处理后的复合结构进行分离处理,分离掉复合结构中的生长基底(4)。 |
地址 |
401329 重庆市九龙坡区凤笙路15号附3号 |