| 发明名称 | 一种陶瓷封装外壳及其制作方法、芯片封装方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种陶瓷封装外壳，包括位于所述陶瓷封装外壳腔体底部的芯片座，所述芯片座包括陶瓷体和位于所述陶瓷体表面的金属层，所述金属层包括至少两个被隔离槽分割成彼此绝缘的隔离区；其中，所述隔离槽的深度大于所述金属层厚度。本发明提供的陶瓷封装外壳的芯片座金属层被隔离槽分割为多个相互绝缘的隔离区，在封装多个芯片时，根据实际需要，将多个芯片分别组装于陶瓷封装外壳内对应隔离区上，由于所述隔离区之间相互绝缘，芯片之间不会出现信号干扰或短路的问题。同时，本发明还提供了该陶瓷封装外壳的制作方法和利用该陶瓷封装外壳封装芯片的方法，利用简单的制作方法和较低成本实现了在单个封装外壳内封装多个芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN103346129B | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201310190360.8 | 申请日期 | 2013.05.21 |
| 申请人 | 北京新雷能科技股份有限公司;深圳市雷能混合集成电路有限公司 | 发明人 | 许艳军;李秀灵 |
| 分类号 | H01L23/02(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王宝筠 |
| 主权项 | 一种陶瓷封装外壳，其特征在于，包括位于所述陶瓷封装外壳腔体底部的芯片座，所述芯片座包括陶瓷体和位于所述陶瓷体表面的金属层，所述金属层包括至少两个被隔离槽分割成彼此绝缘的隔离区；其中，所述隔离槽的深度大于所述金属层厚度；所述隔离槽的深度范围为50μm‑70μm，包括端点值；所述隔离槽的槽宽范围为40μm‑50μm，包括端点值；所述隔离区是通过利用蚀刻工艺，对所述陶瓷封装外壳进行蚀刻，形成于所述陶瓷体表面的；所述蚀刻工艺为激光蚀刻工艺，采用的激光波长为1060nm。 | ||
| 地址 | 100096 北京市海淀区西三旗东路新雷能大厦 | ||