发明名称 |
半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置 |
摘要 |
本发明的半导体接合保护用玻璃复合物是一种用于形成保护pn结的玻璃层的半导体接合保护用玻璃复合物,并且是由一种玻璃微粒构成且不含填充物的半导体接合保护用玻璃复合物,所述玻璃微粒是从将一种玻璃原料熔融而获得的熔液制造的,该玻璃原料以预定的含量至少含有ZnO,SiO<sub>2</sub>,B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,以及BaO、CaO和MgO中的至少两种碱土金属的氧化物,且实质上不含有Pb,As,Sb,Li,Na,K。根据本发明,使用不含铅的玻璃材料也可以制造出可信度高的半导体装置。并且,与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时相比,能够使得烧制由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层时的烧制温度降低,能够制造开关特性优良的半导体装置。 |
申请公布号 |
CN104254907B |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201380002107.3 |
申请日期 |
2013.03.29 |
申请人 |
新电元工业株式会社 |
发明人 |
小笠原淳;伊东浩二;六鎗広野 |
分类号 |
H01L21/316(2006.01)I;C03C8/04(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L29/868(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01)I |
代理机构 |
上海德昭知识产权代理有限公司 31204 |
代理人 |
郁旦蓉 |
主权项 |
一种半导体接合保护用玻璃复合物,为了形成用于保护在具有pn结露出的pn结露出部的半导体元件中的所述pn结的玻璃层,其特征在于:由一种玻璃微粒构成,并且不含填充物,其中,所述玻璃微粒是通过将一种玻璃原料熔融而获得的熔液制造而成,所述玻璃原料以下述的含量至少含有ZnO,SiO<sub>2</sub>,B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,以及BaO、CaO和MgO中的至少两种碱土金属的氧化物,且实质上不含有Pb,As,Sb,Li,Na,K,ZnO:30mol%~60mol%,SiO<sub>2</sub>:5mol%~45mol%,B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:5mol%~30mol%,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:5mol%~13mol%,碱土金属的氧化物:1mol%~10mol%。 |
地址 |
日本国東京都千代田区大手町二丁目2番1号 |