二芳基胺酚醛清漆树脂

摘要

本发明的课题是提供新的苯基萘基胺酚醛清漆树脂等二芳基胺酚醛清漆树脂、以及使用了该树脂的用于半导体装置制造的光刻工艺的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种聚合物，包含下述式(1)所示的单元结构(A)。(式(1)中，Ar¹和Ar²分别表示苯环或萘环)一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过照射光或电子束并进行显影来形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案来蚀刻硬掩模的工序；通过图案化了的硬掩模来蚀刻该下层膜的工序；和通过图案化了的下层膜来加工半导体基板的工序。

主权项

一种聚合物，包含下述式(1)所示的单元结构(A)，式(1)中，Ar¹和Ar²分别表示苯环或萘环，R¹和R²分别是这些环上的氢原子的取代基，表示选自卤素基、硝基、氨基、羟基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合中的有机基团，并且该烷基、该烯基和该芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，R³表示选自氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基、和它们的组合中的有机基团，并且该烷基、该烯基和芳基可以包含醚键、酮键、或酯键，R⁴表示选自碳原子数6～40的芳基、和杂环基中的有机基团，并且该芳基和该杂环基可以被卤素基、硝基、氨基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数6～40的芳基、甲酰基、羧基、或羟基取代，R⁵表示选自氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基中的有机基团，并且该烷基、该芳基和该杂环基可以被卤素基、硝基、氨基、或羟基取代，而且，R⁴与R⁵可以与它们所结合的碳原子一起形成环，n1和n2分别为0～3的整数，包含在上述单元结构(A)中Ar¹和Ar²的任一者是苯环、另一者是萘环的单元结构(a1)。