| 发明名称 | 外延硅晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 利用具备基座(20)和加热环(30)的外延生长装置的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，将硅晶片(W)的表面位置(b)设为比所述基座(20)的外周部的表面位置(c)高，并将所述硅晶片(W)的表面位置(b)设为比所述加热环(30)的表面位置(a)低，且调整所述硅晶片(W)的表面位置(b)与所述加热环(30)的表面位置(a)的差(b-a)，来控制形成于所述硅晶片(W)的<110>取向的外周部的外延层的膜厚与形成于所述硅晶片(W)的<100>取向的外周部的外延层的膜厚的差。 | ||
| 申请公布号 | CN105742154A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201510982956.0 | 申请日期 | 2015.12.24 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 广濑健;辻雅之;木村文彦 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 童春媛;刘力 |
| 主权项 | 外延硅晶片的制造方法，其为使用具备载置晶片的基座和在所述基座的外周留出间隔而配置的加热环的外延生长装置，在面取向为(100)面的硅晶片的表面形成外延层的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，将所述硅晶片的表面位置b设为比所述基座的外周部的表面位置c高，并将所述硅晶片的表面位置b设为比所述加热环的表面位置a低，且调整所述硅晶片的表面位置b与所述加热环的表面位置a的差(b‑a)，来控制形成于所述硅晶片的<110>取向的外周部的外延层的膜厚与形成于所述硅晶片的<100>取向的外周部的外延层的膜厚的差。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||