| 发明名称 |
一种提高Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>半导体薄膜载流子迁移率的方法 |
| 摘要 |
本发明涉及薄膜太阳电池制备技术领域，特指一种提高Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>半导体薄膜载流子迁移率的方法。其特征在于：在清洗后钠钙玻璃(SLG)上制备Si薄膜，在Si薄膜上制备CZT前驱体薄膜，将制备好的CZT前驱体薄膜在通有H<sub>2</sub>S的退火炉中高温退火，得到CZTS半导体薄膜；利用Si去替位Sn，Si的掺杂在晶粒与晶粒之间形成了快速通道，从而提高了载流子迁移率。 |
| 申请公布号 |
CN105734490A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
| 申请号 |
CN201610121455.8 |
申请日期 |
2016.03.03 |
| 申请人 |
常州大学 |
发明人 |
丁建宁;郭华飞;袁宁一;张克智;李燕 |
| 分类号 |
C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种提高Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>半导体薄膜载流子迁移率的方法，其特征在于：在清洗后的钠钙玻璃(SLG)上制备Si薄膜，在Si薄膜上制备CZT前驱体薄膜，将制备好的CZT前驱体薄膜在通有H<sub>2</sub>S的退火炉中高温退火，得到CZTS半导体薄膜；利用Si去替位Sn，Si的掺杂在晶粒与晶粒之间形成了快速通道，从而提高了载流子迁移率。 |
| 地址 |
213164 江苏省常州市武进区滆湖路1号 |
