半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，其抑制电子从输出晶体管的形成区域向其它元件的形成区域的移动的效果高、并能够抑制元件的错误动作。具备半导体衬底(SUB)、一对注入源元件(DR)、有源势垒结构(AB)以及p型接地区域(PGD)。半导体衬底(SUB)具有主表面且在内部具有p型区域。一对注入源元件(DR)形成在p型区域上且形成在主表面上。有源势垒结构(AB)配置在主表面上被一对注入源元件(DR)夹持的区域上。p型接地区域(PGD)是如下的区域：形成在避开主表面上被一对注入源元件(DR)夹持的区域而与一对注入源元件(DR)和有源势垒结构(AB)相比更靠近主表面的端部侧，并且与p型区域电连接，能够施加接地电位。p型接地区域(PGD)在与一对注入源元件(DR)所夹持的区域相邻的区域上断开。

主权项

一种半导体器件，其具备：半导体衬底，其具有主表面且在内部具有p型区域；一对注入源元件，其形成在上述p型区域上且形成在上述主表面上；有源势垒结构，其配置在上述主表面上被上述一对注入源元件夹持的区域上，所述有源势垒结构通过将具有浮动电位的p型区域和n型区域利用导电层进行欧姆连接而构成；以及p型接地区域，其形成在避开上述主表面上被上述一对注入源元件夹持的上述区域而与上述一对注入源元件和上述有源势垒结构相比更靠近上述主表面的端部侧，并且与上述p型区域电连接，能够施加接地电位，其中，上述p型接地区域在与上述一对注入源元件所夹持的上述区域相邻的区域上被断开。