发明名称 |
半导体器件、晶片组件以及制造晶片组件和半导体器件的方法 |
摘要 |
一种半导体器件、晶片组件以及制造晶片组件和半导体器件的方法。腔室在基板的工作表面中形成,半导体元件在该基板中形成。由玻璃材料形成的玻璃片被结合到基板,且腔室被填充以玻璃材料。例如,使用包括刚好放入腔室的突起的预构图的玻璃片。具有大于10微米的宽度的腔室被快速且可靠地填充。腔室可以具有倾斜侧壁。 |
申请公布号 |
CN103311118B |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201310074538.2 |
申请日期 |
2013.03.08 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
A.布雷梅泽;A.布罗克迈尔;F.J.桑托斯罗德里古茨;G.施密特;H-J.舒尔策;C.冯科布林斯基 |
分类号 |
H01L21/316(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
曲宝壮;卢江 |
主权项 |
一种制造功率半导体器件的方法,包括:在基板的工作表面中形成腔室,功率场效应晶体管形成在该基板中;并且其中腔室形成沿着基板的切口区域延伸的网格,其中腔室比切口区域宽;结合由玻璃材料形成的玻璃片到基板,其中腔室被至少部分地填充以玻璃材料;从与工作表面限定的正面相对的背面减薄基板;以及沿着切口区域分离基板以从基板获得多个半导体管芯,每个半导体管芯包括源于玻璃片的玻璃框架或玻璃盖。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |