| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽或垂直凹槽；依次执行一湿法清洗过程和一高温退火过程；蚀刻所述碗状凹槽或所述垂直凹槽，以形成∑状凹槽；执行一预清洗过程；在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。根据本发明，可以抑制所形成的嵌入式锗硅中的层错缺陷的发生，更好地控制其整体厚度的均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN103594370B | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201210292719.8 | 申请日期 | 2012.08.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘焕新;何永根 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底的源/漏区中形成碗状凹槽或垂直凹槽；依次执行一湿法清洗过程和一高温退火过程，使所述碗状凹槽或所述垂直凹槽的晶面中存在的非晶态晶粒转变为晶态晶粒；蚀刻所述碗状凹槽或所述垂直凹槽，以形成∑状凹槽；在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||